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ギ酸ガス・水素ガス両対応 真空はんだリフロー装置 VSS-450-300

VSS-450-300 ギ酸・水素還元両対応

VSS-450-300 ギ酸・水素還元両対応

試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可能

大気・真空・窒素はもちろん、水素やギ酸などの雰囲気環境に対応

最高0.01%のボイドフリーを可能にし、フラックスレスや鉛フリーへの課題解決に最適な、卓上型真空はんだリフロー装置です。

接合する金属表面の酸化膜除去に水素還元の他、「ギ酸還元」に対応。ギ酸の強力な還元作用で、フラックス無しでも濡れ性の向上を実現します。また、業界最小のコンパクト設計ながら、試作開発~量産まで対応する機能と性能を一台に凝縮。

リフロープロファイル設定の多彩さと、抜群の温度コントロール性で、パワーデバイスや航空宇宙開発などに求められる水準の高信頼性実装を実現します。

毎秒2.5のスピード昇温、さらに水冷式でタクトタイムを大幅削減

最大到達温度450対応(オプションで650

ギ酸・水素・窒素など様々な雰囲気環境に対応

設定した温度プロファイルをほぼそのまま実現。繰返し精度も高く、オーバーシュートもほぼゼロ!

加熱プレート上の面内温度差が殆どないので、大きなワークもムラなく加熱

カタログ請求・お問い合わせ

主な機能・性能

  • フラックス入りはんだ対応
  • 加熱エリア下面にIR(赤外)方式のヒーターを装備し、最大到達温度450℃、最高150 K/min.の高速昇温可能
  • P.I.D制御方式による温度コントロールにより、正確で高速な加熱が可能
  • 大気・窒素ガス・真空リフローに標準対応、ギ酸および水素リフロー等の場合もオプションにて対応可
  • ワーキングエリアがガスシールドされており、コンタミを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスでも使用可能
  • 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1 Pa(10-3 hPa)の真空環境を実現可能
  • 水冷方式による高速降温を実現
  • タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作で簡単なオペレーションが可能
  • 温度・ガス流量(MFC)・真空度などを制御するプロファイル プログラム作成が最大50プログラム、本体に登録可能
  • 経過時間、チャンバー内温度、チャンバー内真空度など、多彩なトリガーモードを使用可

ギ酸・水素還元両対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-450-300 について

卓上型真空はんだリフロー装置(モデルVSS-450-300)は、小型でリーズナブルなフラックス入りはんだリフロー、フラックスレス はんだリフロー装置をお探しのお客様のために設計されました。

この装置は、はんだリフローや酸化還元処理の他、ペーストの焼結など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。
有効加熱エリアは300mm x 300mm x 50mmですので、高さのある部品実装にも余裕で対応することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ(MFC)ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス(概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの)を接続してご利用できます。
合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラを使用したプログラムガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1 Pa(10-3 hPa)までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR(赤外)ヒーターによる最高150K/min.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御できます。そのため加熱プレート上の面内温度差は±1%以内に抑えることができ、加熱プレート中心部と端部の製品バラつきがほとんどありません。

タッチパネル式コントローラ(SPS Controller)には、最大50セグメント(行)のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

ギ酸ガス還元、またはフォーミングガス(水素+窒素)による酸化膜除去にも対応させることができますので、この装置1台で、大気リフロー、窒素ガスパリフロー、真空リフロー、ギ酸ガスリフロー、フォーミングガスリフローのすべてを行っていただくことができます。

VSS-450-300 ギ酸・水素還元両対応

VSS-450-300 ギ酸・水素還元両対応

モデル VSS-450-300 テクニカルデータ

項目 仕様
モデル名 VSS-450-300
チャンバー素材 アルミ合金
装置サイズ(WxDxH) 550x690x830
装置重量 約105kg
加熱プレートサイズ(WxD) 320mmx320mm
有効対象物サイズ(WxDxH) 300mmx300mmx50mm
最大到達温度 450℃
加熱方式 クロス配列IRヒーター(下部加熱)
温度制御方式 P.I.D.制御方式
プレート上面内温度差 設定温度に対して±1%以内
(対象物:Φ300mmウエハ時)
最大昇温速度
※対象物の熱容量に因る
150K/min.
最大降温速度
※対象物の熱容量に因る
90K/min.(T=450℃>200℃)
60K/min.(T=200℃>100℃)
チャンバー真空耐久度 0.1 Pa(10-3hPa)
窒素ガス 0.35 ~ 0.4MPa(3.5 ~ 4bar)
ガスライン供給口 外径Φ6mm、内径Φ4mm用スエージロックフィッティング継手
真空ポンプ 要、外付け真空ポンプ
真空ポンプ接続口 ISO DN25-KF
ドライ圧縮空気 0.55 ~ 0.6MPa(5.5 ~ 6bar)
ドライ圧縮空気供給口 外径Φ6mm、内径Φ4mm用ワンタッチフィッティング継手
プロセスガス供給ライン マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
コントローラ タッチパネルコントローラSIMATICRTP-700
プロファイルプログラム登録数 最大:50プログラム
プログラムステップ数 最大:50ステップ
プロセスデータ保存先 USBメモリ/SDカード/Ethernet
チャンバー冷却方式 ウォータージャケット方式
加熱プレート冷却方式 水冷/空冷(共用可)
電源仕様 三相200V、40A

モデル VSS-450-300 の装置オプション

オプション 仕様
SW(標準装備仕様) 真空ポンプ電源自動ON/OFF制御機能 ※必須
VACII(標準装備仕様) チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ ※必須
EP 上部IRヒーターモジュール(電源仕様:三相200V、80A)
QP 上部IRヒーターモジュール
セパレート用石英ガラス板
EH チャンバー高さ120mm
ET 最大到達温度650℃
HT ---
GPS ---
GP ---
GP-PyC ---
GP-SiC ---
PC-200 ---
QC-150 ---
QC-150-HV ---
FAIII 内蔵ギ酸還元モジュール
(標準の窒素ガス供給とMFC共用)
FAII 内蔵ギ酸還元モジュール
(標準の窒素ガス供給とMFC別系統)
FAI 外付ギ酸還元モジュール
(標準の窒素ガス供給とMFC別系統)
FA-T ギ酸ガス除去用ケミカルフィルター
FT フラックストラップフィルター
H2・H2S 高濃度水素ガス供給システム及び安全対策オプション
IL チャンバー蓋インターロック(標準装備)
MFC 追加プロセスガス供給用マスフローコントローラ
(合計4系統)
TCII 対象物温度測定・記録用追加熱電対(合計1本)
MM チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ
OxAtAn チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び
残留酸素濃度測定センサ
PT 3色パトライト(赤・黄・緑)
HV 高真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及び
ターボ分子ポンプ
LP 対象物持ち上げ用リフトピン
SI 外部機器通信用シリアル通信機能
RC チャンバー蓋開閉用リモート制御機能
MP真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ
MP-C真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐食性メンブラン式真空ポンプ
RVP真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ
RVP-C真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐食性ロータリー式真空ポンプ
SP真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ
RP真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ
HVP真空ポンプ 真空到達度10-4Paターボ分子ポンプ
WCIチラー ---
WCIIチラー ---
WCIIIチラー 5.3kW冷却機付きチラー
WCIVチラー 8.7kW冷却機付きチラー
UHE ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー
(504x714x412mm、約50kg)

主な対応アプリケーション

  • フラックスレスはんだリフロー
  • ギ酸ガスパージによる、酸化膜除去(酸化還元処理)
  • フォーミングガス(水素+窒素)による、酸化膜除去(酸化還元処理)

タッチパネル例

タッチパネル例

お問い合わせ

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