卓上型 真空・プロセスガス 高速アニール炉
試作開発用途のほか、インラインシステムにも組み込み可能な高速アニール加熱装置です。
トップローディング方式
真空プロセス高速加熱炉
VPO-1000-300
- トップローディング方式 真空プロセス高速加熱炉
- Φ300mm（12インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1000℃
- 最大昇温速度40K/sec.
- 装置サイズ：505 x 505 x 830 mm (WxDxH)
- 装置重量：約105 kg
フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉
RTP-150
- フロントローディング式 真空プロセス高速加熱炉
- Φ150mm（6インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1000℃
- 最大昇温速度75K/sec.
- 装置サイズ 503 x 525 x 570 mm (WxDxH)
- 装置重量 約80 kg
フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉
RTP-100
- フロントローディング式 真空プロセス高速加熱炉
- Φ100 mm（4インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1200℃
- 最大昇温速度150K/min.
- 装置サイズ：505 x 505 x 570 mm (WxDxH)
- 装置重量：約55 kg
タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス高速アニール加熱システム VPO-1000-300
最大到達温度1000℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分2400℃以上（毎秒40℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
簡単温度プロファイル設定
7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。
垂直チャンバー開閉
チャンバーの開閉は、両サイドのボタン操作によるマニュアルモードのほか、外部信号による自動開閉にも対応しますので、インラインへの組み込みも自由自在です。
Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱システム RTP-150
最大到達温度1000℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分4500℃以上（毎秒75℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
簡単温度プロファイル設定
7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。
フロントローディング方式
チャンバーの開閉は、手動のフロントローディング方式です。ウエハをトレイに載せた後、トレイを奥にスライドさせてからレバーをロック位置に移動させます。
Φ4インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式 真空プロセス高速加熱炉 RTP-100
最大到達温度1200℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1200℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分9000℃以上（毎秒150℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
簡単温度プロファイル設定
7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。
フロントローディング方式
チャンバーの開閉は、手動のフロントローディング方式です。ウエハをトレイに載せた後、トレイを奥にスライドさせてからレバーをロック位置に移動させます。
