卓上型真空・プロセスガス高速アニール
装置
試作開発用途のほか、インラインシステムにも組み込み可能な高速アニール加熱装置です。
VPO-1000-300
- トップローディング方式
真空プロセス高速加熱装置 - Φ300mm（12インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1000℃
- 最大昇温速度40K/sec.
- 装置サイズ：540 x 690 x 890 mm (WxDxH)
- 装置重量：140 kg
お問い合わせ >
RTP-200
- フロントローディング式
真空プロセス高速加熱装置 - Φ200 mm（8インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1000℃
- 最大昇温速度50K/sec.
- 装置サイズ：578 x 521 x 576 mm (WxDxH)
- 装置重量：約70 kg
お問い合わせ >
RTP-150
- フロントローディング式
真空プロセス高速加熱装置 - Φ150mm（6インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1000℃
- 最大昇温速度75K/sec.
- 装置サイズ 505 x 521 x 576 mm (WxDxH)
- 装置重量 約55 kg
お問い合わせ >
RTP-100
- フロントローディング式
真空プロセス高速加熱装置 - Φ100mm（4インチ）ウエハー対応
- 最大到達温度1200℃
- 最大昇温速度150K/sec.
- 装置サイズ 504 x 521 x 576 mm (WxDxH)
- 装置重量 約55 kg
お問い合わせ >
タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 VPO-1000-300について詳しく見る
タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 VPO-1000-300
試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可
最高2000 hPa (= 0.2 MPa)までの過圧に対応する新型
N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応！
最高2000 hPa (= 0.2 MPa)までの過圧に対応する新型
N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応！
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高40K/sec.の高速昇温可能。
窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大200K/min.の降温も実現しています。
窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大200K/min.の降温も実現しています。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
Si-ウェハー接合によるガラス上のSi-太陽電池セル。
Si-ウェハー接合によるガラス上のSi-太陽電池セル。
最大、300x300mm、またはΦ300mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃(オプションで1200℃まで)を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下36本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3 hPa）(HVオプションで10-6 hPaまで）
の真空環境を実現可能。 - タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
- ローダー/アンローダーやロボットなどとの組み合わせによって、生産ラインへの組み込みが可能。
VPO-1000-300基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 12インチウェハーまたは300mm x 300mm |
|---|---|
| チャンバー高さ | 50 mm |
| 最大到達温度 | 1000 °C |
| 最大昇温速度 | 40 K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、2x50 A（100 A） ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 540 mm x 690 mm x 890 mm |
| 装置重量 | 140 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 350 x 350 x 50 mm |
| 加熱方式 | 下部加熱： 赤外線ランプクロス配列（18 kW） 上部加熱 ：赤外線ランプクロス配列（18kW） |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の1.5%以下（200mmウェハーの場合） |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | テキスト（高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ） |
|---|---|
| EH | チャンバー内部高さ拡張オプション（100mm） |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| LP | ウエハーを1枚ずつ持ち上げるリフトピンリフトピンオプション |
| ExOH | チャンバー開口幅拡張オプション（200mm → 300mm） |
| OPL | チャンバー内加圧オプション（チャンバー内最大加圧 0.02 MPa） |
| OP | チャンバー内加圧オプション（チャンバー内最大加圧 0.2 MPa） |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| SI | 外部機器通信用 シリアル通信（RS-232）オプション |
| SS | ステンレス製チャンバーオプション（チャンバー内高さ 50mm） |
| SC | 安全対策ライトカーテン用 インターフェース |
| RC | 外部機器通信用 リモートコントロールオプション |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ8インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-200について詳しく見る
Φ8インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-200
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高50K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、182x182mm、またはΦ200mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能。
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
RTP-200基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 最大直径200mm（8インチ）までのシングルウェーハ用 またはM10 182 x 182 mmソーラーウェハー |
|---|---|
| チャンバー高さ | 40 mm |
| 最大到達温度 | 1000 °C |
| 最大昇温速度 | 最大50K/sec. |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー） ※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、65 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 578 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 70 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 230 x 400 x 40 mm |
| 加熱方式 | 24個の赤外線ランプ（21 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 100 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-150について詳しく見る
Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-150
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高75 K/sec.の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロ ファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を 行うことができます。
最大、156 x 156 mm、またはΦ150 mmまでの対象物を加熱できます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1 Pa（10-3 hPa）（HVオプションで10-6 hPaまで）
の真空環境を実現可能。 - 窒素ガスパージ方式による降温に対応。
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
RTP-150基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 基板サイズ150mm（6インチ）または156mm x 156mm までのシングルウェーハ用 |
|---|---|
| チャンバー高さ | 40 mm |
| 最大到達温度 | 1000°C |
| 最大昇温速度 | 最大75K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3 hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、65 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 505 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 55 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 325 mm x 214 mm x 40 mm |
| 加熱方式 | 24個の赤外線ランプ（21 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 150 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FA III | RTP用 ギ酸還元モジュール |
| FA-T1 | ギ酸吸着用ケミカルフィルタ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ4インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-100について詳しく見る
Φ4インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-100
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1200℃、最高150K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、100x100mm、またはΦ100mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1200℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
- 上下18本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能
- 窒素ガスパージ方式による降温に対応
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
RTP-100基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 直径100mm（4インチ） |
|---|---|
| チャンバー高さ | 18 mm |
| 最大到達温度 | 1200 °C |
| 最大昇温速度 | 150K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C: 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 最大10-3 hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | ウォータージャケット方式（水冷） |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、58 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 504 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 55 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 134 x 169 x 18 mm |
| 加熱方式 | 18個のIRランプ（20 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 200 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃ オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| QT | 石英ガラストレイ（各種） |
| GT | グラファイトサセプター（各種） |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 VPO-1000-300
試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可
最高2000 hPa (= 0.2 MPa)までの過圧に対応する新型
N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応！
最高2000 hPa (= 0.2 MPa)までの過圧に対応する新型
N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応！
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高40K/sec.の高速昇温可能。
窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大200K/min.の降温も実現しています。
窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大200K/min.の降温も実現しています。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
Si-ウェハー接合によるガラス上のSi-太陽電池セル。
Si-ウェハー接合によるガラス上のSi-太陽電池セル。
最大、300x300mm、またはΦ300mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃(オプションで1200℃まで)を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下36本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3 hPa）(HVオプションで10-6 hPaまで）
の真空環境を実現可能。 - タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
- ローダー/アンローダーやロボットなどとの組み合わせによって、生産ラインへの組み込みが可能。
VPO-1000-300基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 12インチウェハーまたは300mm x 300mm |
|---|---|
| チャンバー高さ | 50 mm |
| 最大到達温度 | 1000 °C |
| 最大昇温速度 | 40 K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、2x50 A（100 A） ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 540 mm x 690 mm x 890 mm |
| 装置重量 | 140 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 350 x 350 x 50 mm |
| 加熱方式 | 下部加熱： 赤外線ランプクロス配列（18 kW） 上部加熱 ：赤外線ランプクロス配列（18kW） |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の1.5%以下（200mmウェハーの場合） |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ |
|---|---|
| EH | チャンバー内部高さ拡張オプション（100mm） |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| LP | ウエハーを1枚ずつ持ち上げるリフトピンリフトピンオプション |
| ExOH | チャンバー開口幅拡張オプション（200mm → 300mm） |
| OPL | チャンバー内加圧オプション（チャンバー内最大加圧 0.02 MPa） |
| OP | チャンバー内加圧オプション（チャンバー内最大加圧 0.2 MPa） |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| SI | 外部機器通信用 シリアル通信（RS-232）オプション |
| SS | ステンレス製チャンバーオプション（チャンバー内高さ 50mm） |
| SC | 安全対策ライトカーテン用 インターフェース |
| RC | 外部機器通信用 リモートコントロールオプション |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ8インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式真空プロセス高速加熱装置 RTP-200
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高50K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、182x182mm、またはΦ200mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能。
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
RTP-200基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 最大直径200mm（8インチ）までのシングルウェーハ用 またはM10 182 x 182 mmソーラーウェハー |
|---|---|
| チャンバー高さ | 40 mm |
| 最大到達温度 | 1000 °C |
| 最大昇温速度 | 最大50K/sec. |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー） ※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、65 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 578 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 70 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 230 x 400 x 40 mm |
| 加熱方式 | 24個の赤外線ランプ（21 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 100 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス高速アニール加熱装置 RTP-150
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高75 K/sec.の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロ ファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を 行うことができます。
最大、156 x 156 mm、またはΦ150 mmまでの対象物を加熱できます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です。
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します。
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、
その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能。 - 上下24本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能。
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1 Pa（10-3 hPa）（HVオプションで10-6 hPaまで）
の真空環境を実現可能。 - 窒素ガスパージ方式による降温に対応。
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能。
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能。
RTP-150基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 基板サイズ150mm（6インチ）または156mm x 156mm までのシングルウェーハ用 |
|---|---|
| チャンバー高さ | 40 mm |
| 最大到達温度 | 1000°C |
| 最大昇温速度 | 最大75K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 10-3 hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | 冷却水循環方式 |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、65 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 505 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 55 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 325 mm x 214 mm x 40 mm |
| 加熱方式 | 24個の赤外線ランプ（21 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
| Log data 保存 | USB、SD Card、Ethernet(LAN接続) |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 150 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FA III | RTP用 ギ酸還元モジュール |
| FA-T1 | ギ酸吸着用ケミカルフィルタ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |
Φ4インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式真空プロセス高速加装置 RTP-100
試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR（赤外）方式のヒーターを装備し、最大到達温度1200℃、最高150K/秒の高速昇温可能。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量（MFC）、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、100x100mm、またはΦ100mmまでの対象物を加熱させることができます。
モデルの特徴
- 卓上型サイズながら、最大到達温度1200℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
- 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応します
- ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
- 上下18本のIR（赤外）ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
- 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa（10-3hPa）（HV 最大10-6 hPa）の真空環境を実現可能
- 窒素ガスパージ方式による降温に対応
- タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
- 50セグメント（行）の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
RTP-100基準ハードウエア仕様
| 有効加熱エリア | 直径100mm（4インチ） |
|---|---|
| チャンバー高さ | 18 mm |
| 最大到達温度 | 1200 °C |
| 最大昇温速度 | 150K/sec |
| 最大降温速度 | 200 K/min T= 1200 °C > 400 °C: 30 K/min T= 400 °C > 100 °C |
| 到達真空度 | 最大10-3 hPa |
| ガス供給ライン | 1系統MFC(マスフローコントローラー）※最大３系統可能 |
| 温度プロファイルプログラム | 最大50ステップ |
| プログラム登録可能数 | 最大50プログラム |
| 加熱プレート冷却方式 | 空冷（N2） |
| チャンバー冷却 | ウォータージャケット方式（水冷） |
| 電源仕様 | 三相、200 V、50/60 Hz、58 A ※日本仕様 |
| 装置サイズ (W x D x H) | 504 mm x 521 mm x 576 mm |
| 装置重量 | 55 kg |
| チャンバー材質 | アルミニウム製 |
| プロセスチャンバーサイズ (W x D x H) | 134 x 169 x 18 mm |
| 加熱方式 | 18個のIRランプ（20 kW）による上下加熱 |
| プレート上面内温度差 | ≤ 設定温度の±1.5 |
| コントローラ方式 | SIMATIC® コントローラ |
オプション
| HV | 高真空対応チャンバー10-4 Pa（10-6 hPa）及びターボ分子ポンプ |
|---|---|
| EP | 最大昇温速度 200 K/sec.オプション |
| HT | 最大到達温度 1,200℃ オプション |
| MM | チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ |
| FG-O2 | フォーミングガスと酸素同時構成時安全ユニット |
| Ox I | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ |
| Ox III | チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及びポータブル残留酸素濃度測定センサ |
| PT | 3色パトライト（赤・黄・緑） |
| SW-VP | 真空ポンプ電源自動 ON/OFF 制御機能 |
| TC I | 追加熱電対オプション（別途、外部ロガーが必要） |
| TC II | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション（最大1本） |
| TX | 高温時温度維持時間延長オプション |
| TX-HT | 最大到達温度 1,200℃ 及び高温時温度維持時間延長オプション |
| QT | 石英ガラストレイ（各種） |
| GT | グラファイトサセプター（各種） |
| TC II-HT | 対象物温度測定・記録用追加熱電対オプション NiCrSi - NiSi（最大1本） |
| VAC II | チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ（測定下限値0.1 Pa） |