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卓上型 真空・プロセスガス 高速アニール炉

試作開発用途のほか、インラインシステムにも組み込み可能な高速アニール加熱装置です。

トップローディング方式
真空プロセス高速加熱炉
VPO-1000-300

フロントローディング式 高速アニール加熱炉

  • トップローディング方式 真空プロセス高速加熱炉
  • Φ300mm(12インチ)ウエハー対応
  • 最大到達温度1000℃
  • 最大昇温速度40K/sec.
  • 装置サイズ:505 x 505 x 830 mm (WxDxH)
  • 装置重量:約105 kg

フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉
RTP-150

RTP-150 フロントローディング式 高速アニール加熱炉

  • フロントローディング式 真空プロセス高速加熱炉
  • Φ150mm(6インチ)ウエハー対応
  • 最大到達温度1000℃
  • 最大昇温速度75K/sec.
  • 装置サイズ 503 x 525 x 570 mm (WxDxH)
  • 装置重量 約80 kg

フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉
RTP-100

RTP-100 フロントローディング式 高速アニール加熱炉

  • フロントローディング式 真空プロセス高速加熱炉
  • Φ100 mm(4インチ)ウエハー対応
  • 最大到達温度1200℃
  • 最大昇温速度150K/min.
  • 装置サイズ:505 x 505 x 570 mm (WxDxH)
  • 装置重量:約55 kg

タッチパネル式 Φ12インチ対応 真空・プロセスガス
高速アニール加熱システム VPO-1000-300

VPO-1000-300 プロセスガス高速アニール加熱炉

VPO-1000-300
プロセスガス高速アニール加熱炉
装置サイズ:505 x 505 x 570 mm (WxDxH)
装置重量:約105 kg

試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可
N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー アニールプロセス、LTO焼結対応!

加熱エリア上面、下面にIR(赤外)方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高40K/sec.の高速昇温可能。窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大190K/min.の降温も実現しています。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量(MFC)、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、300x300mm、またはΦ300mmまでの対象物を加熱させることができます。

  • 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
  • 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス(水素+窒素)パージなどに対応します
  • ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
  • 上下48本のIR(赤外)ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
  • 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa(10-3hPa)の真空環境を実現可能
  • 窒素ガスパージ方式による降温に対応
  • タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
  • 50セグメント(行)の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能
  • ローダー/アンローダーやロボットなどとの組み合わせによって、生産ラインへの組み込みが可能

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最大到達温度1000℃

装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。

高速昇温/降温に対応

高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分2400℃以上(毎秒40℃以上)の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。

多彩なガスパージ環境に対応

最大4系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。

簡単温度プロファイル設定

7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。

垂直チャンバー開閉

チャンバーの開閉は、両サイドのボタン操作によるマニュアルモードのほか、外部信号による自動開閉にも対応しますので、インラインへの組み込みも自由自在です。

VPO-1000-300 トップローディング式 高速アニール加熱炉

   

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トップローディング方式、真空プロセス高速加熱炉(モデルVPO)は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは300x300x50mmですが、オプションのVPO-EHを装備することでチャンバー内の高さを、標準の50mmから120mmに変更することができ、Φ60mmの、正面観察窓を装備することができます。また、到達温度1000℃に対応し、最高40K/sec.以上の高速昇温を実現します。自動ローダー/アンローダーなどと組み合わせると、生産ラインにも組み込んでお使いいただくことが可能になります。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ(MFC)ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス(概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの)を接続してご利用いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1Pa(10-3 mbar)までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR(赤外)ヒーターによる最大40K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ(SPS Controller)には、最大50セグメント(行)のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

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Φ6インチ対応 タッチパネル式 真空・プロセスガス
高速アニール加熱システム RTP-150

RTP-150 フロントローディング式
高速アニール加熱炉
装置サイズ 503 x 525 x 570 mm (WxDxH)
装置重量 約80 kg

試作開発用途に最適

加熱エリア上面、下面にIR(赤外)方式のヒーターを装備し、最大到達温度1000℃、最高75 K/sec.の高速昇温可能。
窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大190 K/min.の降温も実現しています。
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量(MFC)、真空制御などのプロ ファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を 行うことができます。
最大、156 x 156 mm、またはΦ150 mmまでの対象物を加熱できます。

  • 卓上型サイズながら、最大到達温度1000℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
  • 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス(水素+窒素)パージなどに対応します
  • ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
  • 上下24本のIR(赤外)ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
  • 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1 Pa(10-3 hPa)の真空環境を実現可能
  • 窒素ガスパージ方式による降温に対応
  • タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
  • 50セグメント(行)の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

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最大到達温度1000℃

装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。

高速昇温/降温に対応

高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分4500℃以上(毎秒75℃以上)の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。

多彩なガスパージ環境に対応

最大4系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。

簡単温度プロファイル設定

7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。

フロントローディング方式

チャンバーの開閉は、手動のフロントローディング方式です。ウエハをトレイに載せた後、トレイを奥にスライドさせてからレバーをロック位置に移動させます。





   

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フロントローディング方式、真空プロセス高速加熱炉(モデルRTP)は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは156 x 156 x 40 mmですが、オプションのアダプタを利用することで、Φ100 mm、  Φ75 mmのウエハーに対応することができます。

更に、ダブルチャンバーオプションを装備することで、2枚のウエハーを同時に処理することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ(MFC)ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス(概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの)を接続してご利用 いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、 0.1 Pa(10-3 hPa)までの真空度に耐えることができますので、接続する  真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大の ポイントは、IR (赤外)ヒーターによる最大75 K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ(SPS Controller)には、最大50セグメント(行)のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

ここまで
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Φ4インチ対応 タッチパネル式 フロントローディング式
真空プロセス高速加熱炉 RTP-100

RTP-100 フロントローディング式 真空プロセス高速アニール加熱炉

RTP-100 フロントローディング式
真空プロセス高速アニール加熱炉
装置サイズ:505 x 505 x 570 mm (WxDxH)
装置重量:約55 kg

試作開発用途に最適
加熱エリア上面、下面にIR(赤外)方式のヒーターを装備し、最大到達温度1200℃、最高150K/sec.の高速昇温可能。窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大190K/min.の降温も実現しています。(1200~400℃間、以降は25K/min.)
プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。
温度制御、ガス流量(MFC)、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。
最大、100x100mm、またはΦ100mmまでの対象物を加熱させることができます。

  • 卓上型サイズながら、最大到達温度1200℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
  • 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス(水素+窒素)パージなどに対応します
  • ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
  • 上下24本のIR(赤外)ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
  • 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa(10-3hPa)の真空環境を実現可能
  • 窒素ガスパージ方式による降温に対応
  • タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
  • 50セグメント(行)の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

本体仕様・オプション一覧へ

 

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高速昇温/降温に対応

高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分9000℃以上(毎秒150℃以上)の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。

多彩なガスパージ環境に対応

最大4系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。

簡単温度プロファイル設定

7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。

フロントローディング方式

チャンバーの開閉は、手動のフロントローディング方式です。ウエハをトレイに載せた後、トレイを奥にスライドさせてからレバーをロック位置に移動させます。

   

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フロントローディング方式、真空プロセス高速加熱炉(モデルRTP)は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは100x100x18mmですが、オプションのアダプタを利用することで、Φ50mm、Φ75mmのウエハーに対応することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ(MFC)ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス(概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの)を接続してご利用いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1Pa(10-3mbar)までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR(赤外)ヒーターによる最大70K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ(SPS Controller)には、最大50セグメント(行)のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

ここまで
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