卓上型 真空・プロセスガス 高速アニール炉

最大到達温度1000℃

装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。

高速昇温/降温に対応

高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分2400℃以上（毎秒40℃以上）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。

多彩なガスパージ環境に対応

最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。

簡単温度プロファイル設定

7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。

垂直チャンバー開閉

チャンバーの開閉は、両サイドのボタン操作によるマニュアルモードのほか、外部信号による自動開閉にも対応しますので、インラインへの組み込みも自由自在です。