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フロントローディング式
真空・プロセスガス 高速アニール加熱炉 RTP-100

タッチパネル式
Φ4インチ対応 真空・プロセスガス 高速アニール加熱システム

試作開発用途に最適

RTP-100 フロントローディング式 真空プロセス高速アニール加熱炉

RTP-100 フロントローディング式 真空プロセス高速アニール加熱炉

加熱エリア上面、下面にIR(赤外)方式のヒーターを装備し、最大到達温度1200℃、最高150K/sec.の高速昇温可能。

窒素パージ方式による冷却方式を採用し、最大190K/min.の降温も実現しています。(1200~400℃間、以降は25K/min.)

プロファイルプログラム制御に、タッチパネルを採用。

温度制御、ガス流量(MFC)、真空制御などのプロファイルプログラム作成の他、プロセスデータの保存を行うことができます。

最大、100x100mm、またはΦ100mmまでの対象物を加熱させることができます。


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RTP-100 主な特徴

  • 卓上型サイズながら、最大到達温度1200℃を実現した真空プロセス高速加熱炉です
  • 窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス(水素+窒素)パージなどに対応します
  • ワーキングエリアがガスシールドされているため、コンタミネーションを気にするプロセスや、その他のクリティカルなプロセスに使用することが可能
  • 上下24本のIR(赤外)ヒーターによって加熱が行われるため、正確で高速な加熱を行うことが可能
  • 適切な真空ポンプとの組み合わせによって、最大0.1Pa(10-3hPa)の真空環境を実現可能
  • 窒素ガスパージ方式による降温に対応
  • タッチパネル式モニターを標準装備。タッチ操作による簡単なオペレーションが可能
  • 50セグメント(行)の温調プログラムを最大50プログラム、本体に登録可能

Φ4インチ対応 真空・プロセスガス高速アニール加熱炉 RTP-100 について

フロントローディング方式、真空プロセス高速加熱炉(モデルRTP)は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは100x100x18mmですが、オプションのアダプタを利用することで、Φ50mm、Φ75mmのウエハーに対応することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ(MFC)ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス(概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの)を接続してご利用いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1Pa(10-3mbar)までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR(赤外)ヒーターによる最大70K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ(SPS Controller)には、最大50セグメント(行)のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

RTP-100 フロントローディング式 真空プロセス高速アニール加熱炉

RTP-100 フロントローディング式 真空プロセス高速アニール加熱炉

モデル RTP-100 テクニカルデータ

項目 仕様
モデル名 RTP-100
チャンバー素材
  • クォーツガラス製(EN-08グレード)
有効加熱エリア 100 x 100 mm(X,Y)
チャンバー高さ
  • 標準18mm
チャンバー真空耐久度 0.1Pa(10-3hPa)
最大到達温度
  • 1200℃
温度安定度 ±1.5%以下
ガス供給ライン
  • マスフローコントローラ(MFC)1系統標準装備(最大毎分5リットル)
  • 最大4系統装備可能
ローディング方式 フロントローディング方式
カバー開閉方向 手前奥方向
カバー開閉方式 手動式
加熱方式
  • 上部からのIR(赤外)ヒーター(2×6本 最大9kW)
  • 下部からのIR(赤外)ヒーター(2×6本 最大9kW)
最大昇温速度
  • 150K/sec.
  • ※但し、対象物の熱質量による
最大降温速度
  • 190K/min.(1200~00℃)
  • ※但し、対象物の熱質量による
  • 25K/min.(400~100℃)
  • ※但し、対象物の熱質量による
冷却方式 窒素ガスパージ方式
温度プロセス制御
  • タッチパネル方式(SPSコントローラ)
  • ※温度プロファイルプログラム作成、実行、モニター機能、データ保存機能
ガスライン供給口 外径Φ4mm、内径Φ2mm用ワンタッチフィッティング継手
真空ポンプ 外付け真空ポンプ必要
真空ポンプ接続口 ISO DN16-KF
ドライ圧縮空気 0.6~1MPa(6~10bar)
ドライ圧縮空気供給口 外径Φ4mm、内径Φ2mm用ワンタッチフィッティング継手
電源仕様
  • 3相 200V, 50/60Hz, 40A x 2(合計80A)
外形寸法 503 x 503 x 570 mm(W x D x H)
装置重量 約55kg

モデル RTP-100 の主なオプション

オプション 仕様
RTP-CAB ユニバーサルヒートエクスチェンジャー用キャビネット
RTP-MFC マスフローコントローラ付、追加ガス供給ライン
RTP-GP-10 RTP-100用グラファイト製プレート(オプションでSiCコーティング可)
RTP-QR-50 Φ50mmウエハ用クォーツガラス製アダプタリング
RTP-QR-75 Φ75mmウエハ用クォーツガラス製アダプタリング
RTP-H2 高濃度水素ガス用モジュール(H2用MFC 1個含む)
RTP-H2S RTP-H2用安全対策オプション(RTP-H2装備時には、必ず必要)
RTP-OxAtAn 残留酸素濃度測定用センサー、及びデータ測定・記録オプション
RTP-VACI 3hPaまでのピラニ型真空度センサオプション(タッチパネル上の表示、データ保存可)
RTP-VACII 10-3Paまでのピラニ型真空度センサオプション(タッチパネル上の表示、データ保存可)
RTP-SW 真空ポンプ自動ON/OFF用スイッチボックス
RTP-TCI 追加熱電対オプション
RTP-TCII データロギング機能付追加熱電対オプション
RTP-RVP 真空到達度0.6Pa対応、ロータリー式真空ポンプ(オイルミスト付)
RTP-HVP 真空到達度10-5Pa対応、ターボ分子ポンプ
RTP-WC III クローズドループ型冷却水循環装置(チラーユニット)※冷却能力:5.3kW

主な対応アプリケーション

  • 多目的ウエハー表面処理
  • ペーストの焼結処理
  • ソーラーパネル
  • LTO膜プロセス

タッチパネル例

タッチパネル例

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